「Storage devices」

更新日期:2019年07月29日

# 易失性存储器

两种类类型:SRAM(静态);DRAM(动态);

内存条是DRAM的,因为同容量下的SRAM需要更多的晶体管,发热大,很难做成大容量的主存储器。通常SRAM用在CPU、GPU的缓存中,容量很小。

SRAM存储元件所用MOS管多,占硅片面积大,因而功耗大,集成度低;DRAM存储元件所用MOS管少,占硅片面积小,因而功耗小,集成度很高;

SRAM采用一个正负反馈触发器电路来存储信息,所以只要直流供电电源一直加在电路上,就能一直保持记忆状态不变,所以无需刷新。DRAM采用电容存储电荷来存储信息,会发生漏电现象,所以要使状态保持不变,必须定时刷新;因为读操作会使状态发生改变,故需读后再生。

SRAM不会因为读操作而使状态发生改变,故无需读后再生,特别是它的读写速度快,其存储原理可看作是对带时钟的RS触发器的读写过程。DRAM因为特别是它的读写速度相对SRAM元件要慢的多,其存储原理可看作是对电容充、放电的过程。

SRAM价格比较昂贵,因而适合做高速小容量的半导体存储器,如Cache。相比于SRAM,DRAM价格较低,因而适合做慢速大容量的半导体存储器,如主存。有三种刷新方式:集中、分散和异步

# 非易失性存储器

Examples of non-volatile memory include read-only memory, flash memory, ferroelectric RAM, most types of magnetic computer storage devices (e.g. hard disk drives, solid state drives, floppy disks, and magnetic tape), optical discs, and early computer storage methods such as paper tape and punched cards.

Non-volatile memory can be classified as traditional non-volatile disk storage, or storage in non-volatile memory chips (Flash memory Storage) – EEPROM, SSD, NAND, etc.

参考文献


ToC

# 易失性存储器

# 非易失性存储器

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